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IRF721 - International Rectifier

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Kynix Teil #: KY13-IRF721
Hersteller Teil #: IRF721
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: International Rectifier
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet IRF721 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Rohs Code  
No
Part Life Cycle Code  
Transferred
Ihs Manufacturer  
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Drain Current-Max (ID)  
3.3 A
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
JESD-609 Code  
e0
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Reach Compliance Code  
compliant
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max  
1.8 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
13 A
DS Breakdown Voltage-Min  
350 V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
50 W
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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    Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
    Einschreiben(www.singpost.com)
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